本发明提供了一种半导体设备陶瓷窗氧化钇涂层清洗方法，包括有机溶液浸泡、双氧水溶液浸泡、旋转打磨、氨水双氧水溶液浸泡、氟酸双氧水溶液擦拭、无尘烘箱烘干六道工序。有机溶剂和双氧水浸泡用于氧化和疏松氧化钇涂层表面的沉积膜层和颗粒物；旋转打磨用于去除表面绝大部分的沉积物；氨水双氧水溶液和氟酸双氧水溶液对陶瓷窗氧化钇涂层表面残余的微量污染物颗粒有较好的刻蚀效果，轻微刻蚀有助于平整氧化钇涂层表面，获得光亮洁净的氧化钇涂层新表面。通过该方法，能去除陶瓷窗氧化钇涂层表面的沉积膜层和污染物颗粒，如硅聚合物，氟氧化钇等，满足陶瓷窗氧化钇涂层洗净要求。