一种半导体设备陶瓷窗氧化钇涂层清洗方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种半导体设备陶瓷窗氧化钇涂层清洗方法,包括有机溶液浸泡、双氧水溶液浸泡、旋转打磨、氨水双氧水溶液浸泡、氟酸双氧水溶液擦拭、无尘烘箱烘干六道工序。有机溶剂和双氧水浸泡用于氧化和疏松氧化钇涂层表面的沉积膜层和颗粒物;旋转打磨用于去除表面绝大部分的沉积物;氨水双氧水溶液和氟酸双氧水溶液对陶瓷窗氧化钇涂层表面残余的微量污染物颗粒有较好的刻蚀效果,轻微刻蚀有助于平整氧化钇涂层表面,获得光亮洁净的氧化钇涂层新表面。通过该方法,能去除陶瓷窗氧化钇涂层表面的沉积膜层和污染物颗粒,如硅聚合物,氟氧化钇等,满足陶瓷窗氧化钇涂层洗净要求。

基本信息
专利标题 :
一种半导体设备陶瓷窗氧化钇涂层清洗方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496710A
申请号 :
CN202111586368.7
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-12-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
汤高贺贤汉杨炜张正伟蒋立峰
申请人 :
上海富乐德智能科技发展有限公司
申请人地址 :
上海市宝山区山连路181号10幢
代理机构 :
上海申浩律师事务所
代理人 :
陆叶
优先权 :
CN202111586368.7
主分类号 :
H01J37/32
IPC分类号 :
H01J37/32  C09K13/08  B24B27/033  B08B3/08  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20211221
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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