一种内线转移CCD减小smear的结构
实质审查的生效
摘要
本发明属于CCD技术领域，特别涉及一种内线转移CCD减小smear的结构，包括在内线转移CCD像元隔离区进行一次或多次势阱注入，使产生一个或多个阶梯势垒呈现台阶式分布，该势垒台阶由垂直转移沟道向光敏区逐渐降低，形成台阶势垒指向光敏区的梯度分布；本发明在不压缩光敏区占空比的前提下，减小感光过程smear现象的发生可能性，提高有效光电荷的收集效率，减小smear的影响，提高CCD光电成像性能，提高成像质量。
基本信息
专利标题 ：
一种内线转移CCD减小smear的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284308A
申请号 ：
CN202111591851.4
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王小东李佳涂戈
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请人地址 ：
重庆市南岸区南坪花园路14号
代理机构 ：
重庆辉腾律师事务所
代理人 ：
卢胜斌
优先权 ：
CN202111591851.4
主分类号 ：
H01L27/148
IPC分类号 ：
H01L27/148 H04N5/372
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/148
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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