一种吸附装置及晶圆巨量转移设备
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种吸附装置及晶圆巨量转移设备，涉及Micro‑LED晶圆巨量转移技术领域，该吸附装置及晶圆巨量转移设备包括负压装置、接头以及吸附板；所述吸附板包括吸附区域以及转移区域，所述吸附区域围绕分布于所述转移区域的四周；所述吸附区域包括多个吸附孔以及气路，多个所述吸附孔设于所述气路中；所述接头分别与所述气路以及所述负压装置连接。取得具备吸附力的同时，避免干扰激光振晶体，能更好地完成Micro‑LED晶圆巨量转移效果。
基本信息
专利标题 ：
一种吸附装置及晶圆巨量转移设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334777A
申请号 ：
CN202111592188.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
喻泷
申请人 ：
深圳鼎晶科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽街道阳光社区松白路1008号企航科创研发产业园F栋101
代理机构 ：
深圳智汇远见知识产权代理有限公司
代理人 ：
蒋学超
优先权 ：
CN202111592188.X
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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