一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法，等径过程中炉内压力变化如下：(1)等径前期：炉内压力保持为75‑105Torr之间某一值不变或由75‑105Torr均匀升高到90‑160Torr；(2)等径中期：从等径前期的炉内压力均匀下降到85‑65Torr或维持在等径前期的炉内压力不变；(3)等径后期：维持在等径中期的炉内压力不变或从等径中期的炉内压力均匀下降到75‑50Torr后再维持最低压力不变；晶体拉速的变化如下：(1)等径前期：晶体拉速从45‑65mm/hr均匀降到40‑25mm/hr；(2)等径中期和等径后期：晶体拉速保持在等径前期的最低拉速不变。本发明能够有效解决大直径砷单晶等径卡、电阻率高的问题，提高单晶成晶率，获得完好的大直径低阻硅单晶。
基本信息
专利标题 ：
一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318507A
申请号 ：
CN202111593665.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王凯磊李英涛王万华皮小争方峰崔彬
申请人 ：
山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请人地址 ：
山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号（中元科技创新创业园）A座921室
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘秀青
优先权 ：
CN202111593665.4
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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