一种芯片老化补偿方法、装置、SOC芯片及电子设备
实质审查的生效
摘要

本申请涉及一种芯片老化补偿方法、装置、SOC芯片及电子设备,属于集成电路技术领域。该方法包括利用电压测量模块测量预设基准电压所对应的当前时刻的测量值;基于当前时刻的测量值和预设第一规则,得到电压测量模块的老化程度;基于电压测量模块的老化程度和预设的表征电压测量模块与芯片内部关键路径的老化相关性的映射关系,得到关键路径的老化程度;基于关键路径的老化程度和预设第二规则,得到关键路径的老化程度对应的老化补偿值;根据老化补偿值调节芯片的电源电压或工作频率以进行老化补偿。本申请能够根据需要随时进行老化检测衡量、并对芯片的电源电压或工作频率进行补偿,以保证最优的能效比。

基本信息
专利标题 :
一种芯片老化补偿方法、装置、SOC芯片及电子设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114325315A
申请号 :
CN202111597029.9
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金军贵张书磊
申请人 :
海光信息技术股份有限公司
申请人地址 :
天津市滨海新区天津华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-3-8
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
杨奇松
优先权 :
CN202111597029.9
主分类号 :
G01R31/28
IPC分类号 :
G01R31/28  H01L23/544  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试,例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20211224
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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