利用离子交换膜制备卤化氘的装置及卤化氘的制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明属于氘代试剂的制备技术领域,具体公开了一种利用离子交换膜制备卤化氘的装置,包括槽体,槽体内设有阴离子交换膜、单价阳离子交换膜一和单价阳离子交换膜二,阴离子交换膜设在单价阳离子交换膜一和单价阳离子交换膜二之间;其中单价阳离子交换膜一与阴离子交换膜之间的腔室为原料室,且该单价阳离子交换膜一另一侧的腔室为阴极室,单价阳离子交换膜二与阴离子交换膜之间的腔室为成品室,且该单价阳离子交换膜二另一侧的腔室为阳极室;阳极室内设有阳极板,阴极室内设有阴极板。本发明的制备装置具有结构简单,便于操作的优点;另外本发明卤化氘的制备过程中氘代过程温和,具有安全便于生产的优点。

基本信息
专利标题 :
利用离子交换膜制备卤化氘的装置及卤化氘的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114457359A
申请号 :
CN202111599689.0
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
桂媛陈伟徐志红金志诚李建东
申请人 :
苏州思萃同位素技术研究所有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市常熟市海虞镇(新材料产业园)富虞路18号
代理机构 :
无锡市英才知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王秋明
优先权 :
CN202111599689.0
主分类号 :
C25B9/21
IPC分类号 :
C25B9/21  C25B1/24  C25B1/26  C25B1/01  C25B1/20  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C25
电解或电泳工艺;其所用设备
C25B
生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺;其所用的设备
C25B9/21
两个或更多个隔膜
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25B 9/21
申请日 : 20211224
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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