基于TSV的六阶高性能交叉耦合SIW滤波器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于TSV的六阶高性能交叉耦合SIW滤波器，包括沿水平方向平行设置的上层RDL和下层RDL，上层RDL与下层RDL之间设有硅基衬底，硅基衬底上分布有六个由TSV构成的谐振腔，六个谐振腔依次排布呈L型设置；上层RDL的相对两侧分别设有输入RDL端口和输出RDL端口；上层RDL上开设有S槽缺口a，下层RDL上开设有S槽缺口b，S槽缺口a和S槽缺口b拼接在一起恰好形成两个整圆。本发明采用交叉耦合的拓扑结构，用于实现六阶基片集成波导。
基本信息
专利标题 ：
基于TSV的六阶高性能交叉耦合SIW滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284661A
申请号 ：
CN202111601062.4
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王凤娟卢颖余宁梅杨媛朱樟明尹湘坤
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
许志蛟
优先权 ：
CN202111601062.4
主分类号 ：
H01P1/208
IPC分类号 ：
H01P1/208
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 1/208
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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