化合物半导体器件直流热分布的分析系统及分析方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供化合物半导体器件直流热分布的分析系统及分析方法，包括：热台、源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源和红外热像仪；半导体器件置于热台上，所述源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源为半导体器件提供直流激励信号；所述热台与半导体器件底部相接触，为半导体器件提供固定的环境温度，所述红外热像仪位于半导体的正上方，采集半导体器件的热辐射信号，并将采集的信号转换成图像供分析人员参考，本发明能够为后续半导体器件的异常定位提供指导。
基本信息
专利标题 ：
化合物半导体器件直流热分布的分析系统及分析方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114414628A
申请号 ：
CN202111615882.9
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邵国键林罡任彬张长梅陈正廉孙军刘柱陈韬陈堂胜
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请人地址 ：
江苏省南京市秦淮区中山东路524号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
陆烨
优先权 ：
CN202111615882.9
主分类号 ：
G01N25/72
IPC分类号 ：
G01N25/72
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N25/00
应用热方法测试或分析材料
G01N25/72
测试缺陷的存在
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 25/72
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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