晶圆预热装载腔及其预热方法
实质审查的生效
摘要
本发明揭露一种晶圆预热装载腔以及预设方法，所述晶圆预热装载腔包括：用于接收经反应处理后晶圆的一上层腔室，及用于预热待反应处理晶圆得一下层腔室。所述下层腔室的底部包括：一热辐射板及一加热盘。加热盘位于热辐射板的上方且可升降于所述下层腔室中，使所述加热盘承载的晶圆在一预热位置和一接取位置之间移动。
基本信息
专利标题 ：
晶圆预热装载腔及其预热方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334730A
申请号 ：
CN202111618017.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘春姜宗帅谈太德
申请人 ：
拓荆科技股份有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111618017.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 C23C16/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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