高电源抑制、零极点内部补偿LDO电路及其实现方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种高电源抑制、零极点内部补偿LDO电路及其实现方法，通过采用NMOS管子作为输出驱动管，采用内部零极点跟踪补偿办法，内部补偿电阻跟踪驱动管变化从而使得LDO的输出稳定，使得外接电容变化时系统任然很稳定，同时电源抑制好，输出更稳定可靠。从而达到更高的性能指标。
基本信息
专利标题 ：
高电源抑制、零极点内部补偿LDO电路及其实现方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114356010A
申请号 ：
CN202111624281.4
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘新东梅名亮王克明林和平陈超群叶煜狄俊
申请人 ：
上海力声特医学科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区青黛路668号
代理机构 ：
上海申浩律师事务所
代理人 ：
唐佳弟
优先权 ：
CN202111624281.4
主分类号 ：
G05F1/56
IPC分类号 ：
G05F1/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G05F 1/56
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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