一种用于提升LED器件光提取效率的边际湿法处理方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及LED器件生产技术领域，具体涉及一种用于提升LED器件光提取效率的边际湿法处理方法，包括：步骤S1：于一基板上形成多个所述LED器件；步骤S2：于所述LED器件的部分表面形成牺牲层，对所述LED器件进行蚀刻，于所述LED器件的侧面形成斜面；步骤S3：对所述LED器件采用第一清洗方法进行清洗，随后对所述LED器件进行干燥处理以完成处理过程。本发明的有益效果在于：通过对LED器件的侧面形成一斜面，减少了LED器件内的全反射光纤，进而提高了LED器件的光提取效率，实现了较现有技术更高的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于提升LED器件光提取效率的边际湿法处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420815A
申请号 ：
CN202111643670.1
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邓信甫刘大威陈丁堃
申请人 ：
上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫海路170号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
竺路玲
优先权 ：
CN202111643670.1
主分类号 ：
H01L33/24
IPC分类号 ：
H01L33/24 H01L21/02 H01L21/306
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/24
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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