一种带体漏交叉耦合技术的高增益中频放大器
实质审查的生效
摘要
本发明属于无线通信技术领域，具体提供一种带体漏交叉耦合技术的高增益中频放大器，用以解决现有中频放大器高频增益有待提高的问题。本发明由两部分组成：其一为由MOS管M1与M2、负载Load1与Load2、负载电容CL1与CL2构成的共源极差分放大器，其二为由耦合电容C1与C2、偏置电阻R1与R2组成的体漏交叉耦合结构；本发明在传统的共源极放大器结构基础上，通过引入体漏交叉耦合技术：将差分对一侧MOS管的漏极通过耦合电容连接到另一侧MOS管的体电极、同时再通过偏置电阻为体电极提供静态偏置，有效地提高了放大器的高频增益，减缓了负载大电容造成的增益随频率降低难题；并且，在提高高频增益的同时无需牺牲输出电压摆幅和功耗。
基本信息
专利标题 ：
一种带体漏交叉耦合技术的高增益中频放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114513175A
申请号 ：
CN202111645834.4
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康凯刘润宇余益明吴韵秋赵晨曦刘辉华
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
甘茂
优先权 ：
CN202111645834.4
主分类号 ：
H03F3/45
IPC分类号 ：
H03F3/45 H03F1/08
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 3/45
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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