一种氢氧化钴的制备方法及其制备的氢氧化钴
公开
摘要
本发明公开了一种氢氧化钴纳米管及其制备方法，获得的氢氧化钴纳米管内径在4‑10nm之间，外径为20‑60nm,管长在100nm‑5μm之间，采用离子交换法室温合成氢氧化钴纳米管，最终制备的纳米管结晶度高并且很好地保持了氢氧化镁模板的管状形貌。本发明氢氧化钴纳米管是一种优异的可逆充放电活性物质，并且管状形貌有利于电子和电解质的传递，具有良好的导电性能。
基本信息
专利标题 ：
一种氢氧化钴的制备方法及其制备的氢氧化钴
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114560509A
申请号 ：
CN202111655549.0
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭学锋陆海孟赵兵周军卫松雪周静
申请人 ：
南京大学扬州化学化工研究院
申请人地址 ：
江苏省扬州市仪征市化学工业园中央大道9号
代理机构 ：
南京知识律师事务所
代理人 ：
高玲玲
优先权 ：
CN202111655549.0
主分类号 ：
C01G51/04
IPC分类号 ：
C01G51/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G51/00
钴的化合物
C01G51/04
氧化物；氢氧化物
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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