切割道结构及其形成方法、半导体晶圆及其形成方法
公开
摘要
本发明涉及一种切割道结构及其形成方法、半导体晶圆及其形成方法。所述切割道结构包括：衬底，所述衬底上包括对准标记区域和位于所述对准标记区域外部的辅助标记区域；对准标记，位于所述衬底上的所述对准标记区域内，所述对准标记用于晶圆对准；辅助标记，位于所述衬底上的辅助标记区域内，所述辅助标记与所述对准标记同层设置，所述辅助标记的结构与所述对准标记的结构不同。本发明提高了所述切割道结构在化学机械研磨工艺之后的表面平坦度，从而降低了后续在键合过程中键合界面出现缺陷的概率。
基本信息
专利标题 ：
切割道结构及其形成方法、半导体晶圆及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300443A
申请号 ：
CN202111655885.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王梦婷徐陈林张鹏真彭熙锦胡帅
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈丽丽
优先权 ：
CN202111655885.5
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/304
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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