消除重掺锑管道的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种消除重掺锑管道的方法,所属硅片生产加工技术领域,包括如下操作步骤:第一步:确认发生杂质管道不良的背景与原理;1)RRG要求越来越严格,需要在拉晶工艺上作出改善RRG的调整,但是调整后的结果表现为RRG水平得到满足但同时带来了杂质管道的不良产生,导致合格率为0%,杂质管道具体表现为硅片中心存在色差实心圆且整根存在。2)硅片表面的电阻率对硅片的影响。第二步:将异常的凸状改变为正常的凹状,即可解决小平面的生长位置。第三步:减少锑的掺杂量以降低锑杂质的浓度。具有质量稳定性好、加工难度小和报废率低的特点。解决了拉晶过程出现重掺锑管道产生报废的问题。
基本信息
专利标题 :
消除重掺锑管道的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114381799A
申请号 :
CN202111658531.6
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
魏兴彤徐慶晧王忠保芮阳马成
申请人 :
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号
代理机构 :
杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
沈相权
优先权 :
CN202111658531.6
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20 C30B31/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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