缓存合成预取方法、装置、处理器以及电子设备
实质审查的生效
摘要
一种缓存合成预取方法、装置、处理器以及电子设备，该缓存合成预取方法用于对第一缓存和第二缓存进行预取，第一缓存比第二缓存更接近处理器核。该方法包括：获取预取信息源的利用率信息；根据预取信息源的利用率信息，确定对于第一缓存和第二缓存的预取方式，其中，对于第一缓存和第二缓存的预取方式不同。该缓存合成预取方法能够有效减小目标缓存(例如，第一缓存和第二缓存)的缓存污染，提高CPU整体性能。
基本信息
专利标题 ：
缓存合成预取方法、装置、处理器以及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114281715A
申请号 ：
CN202111659172.6
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡世文
申请人 ：
海光信息技术股份有限公司
申请人地址 ：
天津市华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-3-8
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
彭久云
优先权 ：
CN202111659172.6
主分类号 ：
G06F12/0862
IPC分类号 ：
G06F12/0862
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F12/00
安装在筛选装置之上的在存储器系统或体系结构内的存取、寻址或分配
G06F12/02
寻址或地址分配；地址的重新分配
G06F12/08
在分级结构的存储系统中的寻址、地址分配、或地址的重新分配，例如，虚拟存储系统
G06F12/0802
存储器层的寻址，其中需要关联寻址方法来访问期望数据或数据块，例如：高速缓存
G06F12/0862
带有预取的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 12/0862
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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