一种基于氧化钛纳米管的硫化锂电极及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种基于氧化钛纳米管的硫化锂电极及其制备方法。该硫化锂电极包括片状的氧化钛纳米管阵列，以及填充在氧化钛纳米管中的硫化锂颗粒。硫化锂颗粒上包覆有碳层。本发明中硫化锂颗粒被碳壳和氧化钛纳米管包覆，碳壳和氧化钛纳米管对充放电过程中产生的聚硫锂具有空间限域效应，能有效抑制聚硫锂的“穿梭效应”。氧化钛纳米管同时能通过化学键合作用抑制聚硫锂的扩散。一维整齐排列的氧化钛纳米管阵列有利于锂离子的输运。此外，本发明利用氧化钛的光致超亲水性能，在浸入硫酸锂和葡萄糖的水溶液前对氧化钛纳米管阵列进行紫外光照射，使得硫酸锂和葡萄糖的水溶液能够充分注入到氧化钛纳米管中，最终达到对聚硫锂“穿梭效应”的抑制效果。
基本信息
专利标题 ：
一种基于氧化钛纳米管的硫化锂电极及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300655A
申请号 ：
CN202111671326.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冷丹李仕琦朱铧丞倪瑞黄澳旗
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
陈炜
优先权 ：
CN202111671326.3
主分类号 ：
H01M4/136
IPC分类号 ：
H01M4/136 H01M4/1397 H01M4/36 H01M4/485 H01M4/62
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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