本发明公开了一种半导体真空回收循环烧结炉及芯片烧结工艺，属于芯片烧结技术领域，解决了烧结热量不均，烧结质量差的问题，包括炉盖组件、炉体组件、抽真空组件、循环烧结组件和翻转压接组件，所述炉体组件的上方固定有可拆卸的炉盖组件，所述炉盖组件和炉体组件之间连接有抽真空组件，所述炉体组件的内部空腔中设置有至少一层循环烧结组件，所述循环烧结组件上连接有至少一个翻转压接组件。在真空且高温的炉膛内设置循环烧结组件和翻转压接组件，另烧结过程中的钼圆片、铝圆片和硅圆片能够在炉膛内循环移动并翻转，受热均匀，烧结后的钼圆片和硅圆片结合处致密度高，芯片的电热特性和机械性能均提高。