本发明公开了一种碳化硅长晶时晶体厚度及质量的测量系统及方法，测量系统包括石墨盘、电阻检测模块、计算模块和显示模块，石墨盘下方设置籽晶，碳化硅晶体生长在籽晶上，石墨盘上方设置两个导电棒，两个导电棒与石墨盘电连接，电阻检测模块用于实时检测两个导电棒之间的电阻，计算模块用于根据电阻检测模块检测的电阻计算碳化硅晶体的厚度及质量，显示模块用于实时显示计算模块得到的碳化硅晶体的厚度及质量。通过导电棒与石墨盘电连接，并通过实时测量导电棒之间的电阻，将电阻转化为碳化硅晶体生长过程中的厚度及质量，并实时显示，有助于操作人员实时观测碳化硅晶体的生长是否符合要求，在不符合要求时及时调节工艺，无需等待晶体出炉。