一种控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法，包括以下步骤：将清洗后表面暴露的硅晶圆片置于蚀刻槽内，采用蚀刻液溢流循环的方法进行蚀刻，蚀刻液溢流循环流量为140～195L/min；蚀刻液由HF和HNO3组成，蚀刻液内还均匀分布有惰性气体气泡，通过调整所述惰性气体气泡参数，可获得特定几何形貌的硅晶圆片。本发明首先通过调节蚀刻液组成、流量及温度控制硅晶圆片表面的整体蚀刻速率，再通过在蚀刻液内添加惰性气体气泡来调整硅晶圆片边缘与中心蚀刻速率，从而使硅晶圆片的蚀刻速率得到有效控制，获得理想的特定几何形貌的硅晶圆片，为后道抛光工艺提供一种有益于品质输出的平坦度和几何形状。
基本信息
专利标题 ：
一种控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420554A
申请号 ：
CN202111677464.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴泓明钟佑生黄郁璿李少华
申请人 ：
郑州合晶硅材料有限公司
申请人地址 ：
河南省郑州市郑州航空港经济综合实验区规划工业四路以南、华夏大道以西
代理机构 ：
北京动力号知识产权代理有限公司
代理人 ：
张盼
优先权 ：
CN202111677464.2
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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