本发明公开了一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法，涉及到半导体技术领域，包括：S1、进行晶圆的分布式阶段性控制，进行所述晶圆的中心、所述晶圆的外缘以及所述晶圆与所述清洗腔体之间的间隔三个不同位置的差异优化；S2、进行晶圆的差异化热流分布，通过纯净空气吹送单元向所述晶圆的上表面输送热风吹送进行气流增速，将液体的流动与处理能力集中在所述晶圆外缘位置并促进阶梯化强对流的方式进行流动；S3、进行晶圆的三维方向的表面温度控制。本发明中通过对晶圆的流场的优化控制，利用热风喷向晶圆表面及边缘区域，控制晶圆的表面及边缘区域温度，破坏结晶的基础条件，从而避免晶圆的表面及边缘区域出现结晶现象，提高清洗效果。