功率管的采样控制电路、电源保护芯片以及设备
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种功率管的采样控制电路，该采样控制电路包括第一采样管和基础采样管，功率管、第一采样管和基础采样管为NMOS，功率管的漏极连接输入端，功率管的源极连接输出端,第一采样管的栅极连接功率管的栅极和基础采样管的栅极，第一采样管的漏极连接功率管的漏极和基础采样管的漏极，第一采样管的漏极电流跟随基础采样管的漏极电流，以使得所述第一采样管的漏极电流与所述基础采样管的漏极电流在输出电压的全工作范围内保持一致。第一采样管和基础采样管共栅共漏采样可以实现在全工作电压范围内对功率管进行电流采样，保障采样精度。
基本信息
专利标题 ：
功率管的采样控制电路、电源保护芯片以及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114337197A
申请号 ：
CN202111679014.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜艳
申请人 ：
上海艾为微电子技术有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
柳虹
优先权 ：
CN202111679014.7
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08 H02M1/088 H02M1/32 H02H7/12
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/08
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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