一种半导体疏水性化学材料高密度均质混合方法及装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体疏(厌)水性化学材料高密度均质混合方法，包括以下步骤：首先将水经过微纳米气泡产生器释放出气泡与氢气氧气分子液气共融，再通过氢气过滤器产生高活性抗氧化的氢气分子H2，MOCVD(金属有机化学气相沉积)或PVD(物理气相沉积)加工之前先用上述方式获得的氢气分子H2前处理，以范德华力分子作用力的诱导力跟取向力实现分子距离最小的贴合作用实现轻薄短小化减少尺寸跟重量。本发明使用微纳米气泡产生器(装置)加气体吸收过滤器，在疏水性化学材料物理或化学加工的过程体现均匀质量的纳米效益，氢分子抗氧化与高活性会剥离异物与均匀混合一致性，不需要太多工序，实现高纯化与更均匀质量的加工诉求。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体疏水性化学材料高密度均质混合方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334629A
申请号 ：
CN202111680525.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄锦星谢明勋
申请人 ：
福建雄驰科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市惠安县东桥镇埔殊村后溪666号
代理机构 ：
北京奥肯律师事务所
代理人 ：
马聪
优先权 ：
CN202111680525.0
主分类号 ：
H01L21/203
IPC分类号 ：
H01L21/203 H01L21/205 B01F25/10 B01F25/00 B01F23/23
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/203
应用物理沉积的，例如真空沉积，溅射
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/203
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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