一种差分二极管MOS电流采样电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种差分二极管MOS电流采样电路，其包括MOS管Q1、二极管D1、二极管D2、电阻R2、电阻R3和运放IC1A；MOS管Q1的栅极连接导通信号VG，漏极连接负载的负极，源极接地；二极管D1的负极连接MOS管Q1的漏极，正极连接第一恒流源的输出端；二极管D2的负极连接MOS管Q1的源极，正极连接第二恒流源的输出端。二极管D1和D2型号相同并且封装在一起，为小寄生电容、高反向耐压的肖特基二极管。当二极管温度升高时，二极管D1正极电压和二极管D2正极电压同时下降，他们的差值不变，这个差值通过差分单端运放IC1A转换成对地单端电压，从而获得准确的采样值。
基本信息
专利标题 ：
一种差分二极管MOS电流采样电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120290575.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-02-02
授权号 ：
CN216310101U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
罗泽伟赖允能
申请人 ：
杭州瑞阳微电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区三墩镇创美华彩中心2幢6层601室
代理机构 ：
杭州知见专利代理有限公司
代理人 ：
卢金元
优先权 ：
CN202120290575.7
主分类号 ：
G01R19/00
IPC分类号 ：
G01R19/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
