一种IGBT导通台阶电压的检测电路和电磁加热控制芯片
授权
摘要
本实用新型提供一种IGBT导通台阶电压的检测电路和电磁加热控制芯片，所述检测电路包括：第一DAC模块用于输出第一阈值电压；同步比较器用于当第一采样点的第一采样电压与第二采样点的第二采样电压相等时，输出第一比较结果；第一导通台阶比较器用于将所述第二采样电压与所述第一阈值电压进行比较，当所述第二采样电压大于所述第一阈值电压时输出第二比较结果；脉宽发生器用于当同时接收到所述第一比较结果和所述第二比较结果时，增加所述外部IGBT的导通时长；解决了现有技术不能实时检测IGBT的导通台阶电压的问题，实现了对IGBT的导通台阶电压的精准控制，达到有效保护IGBT的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT导通台阶电压的检测电路和电磁加热控制芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120790120.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-04-16
授权号 ：
CN216434267U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
吴家洪周彦杨勇柳泽宇苗小雨
申请人 ：
中微半导体（深圳）股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南头街道大汪山社区桃园路8号田厦国际中心A座2008
代理机构 ：
重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
仇倩倩
优先权 ：
CN202120790120.1
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R19/25 H05B6/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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