一种吸热管热屏
授权
摘要
本实用新型提供一种吸热管热屏，所述热屏包括呈紧密排列的吸热管，所述吸热管内通有冷却剂，所述热屏通过所述吸热管表面吸收热辐射。所述吸热管包括外层螺旋吸热管、设置在所述外层螺旋吸热管所围空间内的内层螺旋吸热管和水平设置的底部吸热环；所述外层螺旋吸热管和所述内层螺旋吸热管的底部分别与所述底部吸热环连通，且所述外层螺旋吸热管和所述内层螺旋吸热管的顶部分别具有连接口。通过采用吸热管阵列热屏取代原有的水冷壁结构热屏，大幅增加表面吸热面积与水的换热面积，提高水冷屏的散热能力，进一步强化单晶生长过程中的散热，进一步提高长晶速度的上限。是现有水冷屏技术的进一步发展。
基本信息
专利标题 ：
一种吸热管热屏
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120800314.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-04-19
授权号 ：
CN216514247U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
王利伟李万朋
申请人 ：
连城凯克斯科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号
代理机构 ：
大连东方专利代理有限责任公司
代理人 ：
李洪福
优先权 ：
CN202120800314.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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