一种超导腔耦合口结构、超导腔与功率输入耦合器系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种超导腔耦合口结构、超导腔与功率输入耦合器系统。本申请超导腔耦合口结构，包括超导腔上的功率输入耦合接口和功率输入耦合器，功率输入耦合接口和功率输入耦合器一端通过法兰连接，其特征在于，所述功率输入耦合接口具有一弯转角度，功率输入耦合器插入所述功率输入耦合口的插入端具有与该弯转角度匹配的弯转结构，用于该插入端插入弯转的所述功率输入耦合接口。本实用新型将耦合器内导体头部和超导腔耦合口进行弯转设计，使陶瓷窗不在直视超导腔微波面，从而避免陶瓷窗被高能电子轰击损伤。
基本信息
专利标题 ：
一种超导腔耦合口结构、超导腔与功率输入耦合器系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121105349.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-05-21
授权号 ：
CN216291549U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
周全潘卫民贺斐思
申请人 ：
中国科学院高能物理研究所
申请人地址 ：
北京市石景山区玉泉路19号(乙)
代理机构 ：
北京君尚知识产权代理有限公司
代理人 ：
司立彬
优先权 ：
CN202121105349.3
主分类号 ：
H05H7/20
IPC分类号 ：
H05H7/20
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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