半导体结构及半导体封装
授权
摘要
本申请实施例涉及半导体结构及半导体封装。根据一实施例的半导体结构，其包括：裸片，其具有第一表面；邻近所述第一表面的互连组件；以及钝化结构，其在所述第一表面上且围绕所述互连组件，其中所述钝化结构包括：第一介电体，其具有面向所述裸片的所述第一表面的第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧；以及第二介电体，其与所述第一介电体的所述第二侧接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体封装
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121260747.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-06-07
授权号 ：
CN216749876U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
黃建文洪子晴杨昌儒鲍德
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202121260747.2
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L25/065 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
