开合式遮蔽构件及具有开合式遮蔽构件的薄膜沉积装置
授权
摘要
本实用新型提供一种具有开合式遮蔽构件的薄膜沉积装置，主要包括一反应腔体、一承载盘及一开合式遮蔽构件，其中部分开合式遮蔽构件及承载盘位于反应腔体内。开合式遮蔽构件包括一第一遮蔽板、一第二遮蔽板及一驱动装置，其中驱动装置连接第一遮蔽板及第二遮蔽板，并用以驱动第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反方向摆动。在进行沉积制程时，驱动装置会带动第一及第二遮蔽板相互远离，并切换到开启状态。在进行清洁制程时，驱动装置则会带动第一及第二遮蔽板相互靠近，并切换为遮蔽状态以遮蔽承载盘，避免在清洁薄膜沉积装置的过程中污染承载盘。
基本信息
专利标题 ：
开合式遮蔽构件及具有开合式遮蔽构件的薄膜沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121454781.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-06-29
授权号 ：
CN216237258U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
林俊成沈祐德
申请人 ：
鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区洪溪南路9号A栋102
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN202121454781.3
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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