一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备，包括壳体，所述壳体的顶部靠近左侧处设有螺纹杆，所述壳体的顶部设有顶板，所述壳体的顶部靠近左侧处与顶板的底部靠近左侧处均固定连接有第一轴承，所述螺纹杆的底端插接在相邻第一轴承的内腔，通过螺纹杆、螺纹套、顶板、电机外壳、连接杆、限位管、限位杆、静电消除器、导线、接地线等部件之间的相互配合，使装置可以与硅晶片充分接触，具有静电消除效果好等特点,通过推板、定位板、往复凸轮、转轴、驱动电机、滑块、限位套、固定杆、连接块、伺服电机、固定板等部件之间的相互配合，使装置自动进行上料操作，具有提高工作效率等特点。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121920742.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-17
授权号 ：
CN216311746U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
杨震民
申请人 ：
杨震民
申请人地址 ：
天津市河东区太平镇驻地
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202121920742.8
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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