用于HDP-CVD系统的冷却机构
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于HDP‑CVD系统的冷却机构,包括承载台,所述承载台上设有用于容置半导体基底的容腔。所述承载台的上端设有冷却机构,所述冷却机构包括环形冷却铜管,所述环形冷却铜管上设有用于进出冷却液的连接接头。所述环形冷却铜管上可拆卸地布设有若干用于对所述承载台进行热转移的导热铜夹,所述导热铜夹包括相对设置的上铜块、下铜块,所述上铜块、下铜块的相对一面均设有能贴合在所述环形冷却铜管外侧壁上的半圆形凹槽。所述下铜块的下端面贴合在所述承载台的上端面上。本实用新型的冷却机构能有效避免因焊点沙眼导致的冷却液渗漏的问题。
基本信息
专利标题 :
用于HDP-CVD系统的冷却机构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202121944945.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-08-18
授权号 :
CN216337951U
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
赖学明
申请人 :
苏州耀德半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市苏州工业园区泾茂路168号E栋1F105室(该地址不得从事零售)
代理机构 :
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
顾品荧
优先权 :
CN202121944945.0
主分类号 :
C23C16/513
IPC分类号 :
C23C16/513 H01J37/32
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/513
采用等离子流
法律状态
2022-04-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载