一种吸料装置及单晶炉吸料设备
授权
摘要
本实用新型公开一种吸料装置及单晶炉吸料设备，涉及晶棒制造技术领域，以解决单晶炉内存在杂质问题。吸料装置包括容置组件，其具有密闭的容纳腔；吸管组件，连接于容置组件，吸管组件具有相对的第一端部和第二端部，第一端部位于容纳腔内并与容纳腔连通，吸管组件的第二端部位于容纳腔外，吸管组件还具有连通第一端部与第二端部的吸取通道，吸取通道将容纳腔与容置组件外部相连通。由于单晶炉内的杂质硅料能够被吸料装置吸除，可继续加入新的硅料，实现单晶炉的可持续加料生产。单晶炉吸料设备包含该吸料装置，利用压差将硅料压入容纳腔中，移出单晶炉后继续拉晶工序。
基本信息
专利标题 ：
一种吸料装置及单晶炉吸料设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121956026.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-19
授权号 ：
CN216156010U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
杜超邓浩李侨韩伟董升
申请人 ：
隆基绿能科技股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市长安区航天中路388号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN202121956026.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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