一种具有漏电保护的PMOS管开关控制电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有漏电保护的PMOS管开关控制电路，主要解决现有PMOS管开关控制电路没有漏电保护机制，易导致负载烧毁的问题。该电路包括源极端接电源VCC的PMOS管P1，漏极端输出电压VA；连接于PMOS管P1的栅极与源极之间的上拉电阻R1，集电极与PMOS管P1的栅极相连、发射极接地的三极管Q1，一端与三极管Q1的基极相连，另一端作为开关控制信号的输出端的限流电阻R2，以及与PMOS管P1的漏极相连的漏电保护电路。本实用新型的开关控制电路设置有漏电保护电路，开关控制电路工作时，会对负载的漏电流进行检测，如果检测到负载的漏电流大于设定限值，则漏电保护电路会直接输出保护控制信号对电路进行果断，对负载进行保护，提高电路的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有漏电保护的PMOS管开关控制电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122026620.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-26
授权号 ：
CN216721291U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
唐维何明航罗思岚
申请人 ：
成都厉行科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市郫都区郫筒镇创智南一路38号2栋16层7号、8号，21层1号、7号、8号
代理机构 ：
成都春夏知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
陈春华
优先权 ：
CN202122026620.0
主分类号 ：
H03K17/082
IPC分类号 ：
H03K17/082 H03K17/687
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
