一种新型晶体炉冷却法兰
授权
摘要
一种新型晶体炉冷却法兰，其包括法兰主体，支撑管，所述支撑管为空心管，所述支撑管的两端皆具有开口，所述支撑管侧壁上开设有挂载口；所述支撑管的外侧壁与法兰主体的第一侧之间设置有冷却单元，冷却单元包括防护框架，以及冷凝管；所述冷凝管具有入口端及出口端，入口端及出口端均设置于防护框架靠近法兰主体的侧边上。该新型晶体炉冷却法兰通过所述在所述法兰主体内设置循环管道以及溶液腔，并在所述法兰主体的底部设置冷凝管，通过冷凝管将晶体炉内的热量传递到冷却液，并通过冷却液流动将热量传导到所述法兰主体，极大的利用了所述法兰主体自身的导热性进行空冷散热，提高散热效率。
基本信息
专利标题 ：
一种新型晶体炉冷却法兰
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122127436.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-02
授权号 ：
CN216156012U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
史晓莉戴永成戴永丰
申请人 ：
浙江臻强精密机械股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市嘉善县魏塘街道振业路9号3#车间
代理机构 ：
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
燕宏伟
优先权 ：
CN202122127436.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
