一种解决直拉单晶炉排气口堵塞的装置
授权
摘要
本实用新型提供一种解决直拉单晶炉排气口堵塞的装置，包括：驱动装置，除尘装置和时间继电器，所述除尘装置与所述驱动装置连接；其中，所述时间继电器可设定所述驱动装置与所述除尘装置运转的时间，用于控制所述驱动装置和所述除尘装置的运转和停止；所述驱动装置用于驱动所述除尘装置运动，所述除尘装置用于清理单晶炉排气口的堆积物。本实用新型的有益效果是：通过该装置的清理，排气口几乎不附着氧化物，能够缩短清理时间，加快开炉速度；该装置能够改善杂质断苞；同时，该装置能够改善单晶发彩和氧含量升高问题。
基本信息
专利标题 ：
一种解决直拉单晶炉排气口堵塞的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122380140.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
CN216514249U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
王淼刘伟孔凯斌贾海洋周宏邦娄中士张强侯明超张庆虎王立刚史慧敏
申请人 ：
内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202122380140.4
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06 B08B9/047
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
