一种光探测集成传感器
授权
摘要
本实用新型涉及光电传感器，特别是关于一种光探测集成传感器，本实用新型将“光敏二极管V1,高性能低漂移宽温放大器U1,直流偏置及电阻电容等集成于一体,这种结构是以厚膜技术在微小的PCB板上设计的集成电路,包含有光敏接收二极管、精密金属薄膜电阻、高性能跨阻宽温直流放大器等核心电路。因其核心技术可消除离散设计中经常遇到的漏电流误差、噪声、杂散电容及增益峰值等问题。在环境温度从‑55℃～+125℃范围内，“可见光”检测具有极佳的线性度、暗电流输出及光信号检测信号从0V到Vcc的满幅电压输出。
基本信息
专利标题 ：
一种光探测集成传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122441499.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-11
授权号 ：
CN216483504U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
杨伟东魏丹鹏徐启禄史丹昭魏超杨振江
申请人 ：
西安光谷光电科技有限责任公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区西柳街办毕原二路9号3号厂房三层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122441499.8
主分类号 ：
G01J1/42
IPC分类号 ：
G01J1/42 G01J1/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J1/00
光度测定法，例如照相的曝光表
G01J1/42
采用电辐射检测器
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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