一种坩埚口保温结构
授权
摘要
本申请提供一种坩埚口保温结构，包括嵌合中保温外层，以及嵌合在嵌合中保温外层内的嵌合中保温内层，嵌合中保温内层设置在热场结构中坩埚口的顶端，嵌合中保温外层套设在嵌合中保温内层外围，并设置在热场结构中侧保温层之间；嵌合中保温外层与嵌合中保温内层的连接处不完全咬合，嵌合中保温外层与嵌合中保温内层之间预留中心孔。通过在传统的热场结构中设置相互嵌合的嵌合中保温外层以及嵌合中保温内层，能够使得传统的热场结构在放大中保温及侧保温尺寸之后，有效的填补了中保温、坩埚与侧保温之间的间隙，阻挡热量从中保温及侧保温所形成的间隙处散失，节约能耗，提高了经济效率，为构建适合大公斤级晶体生长的热场梯度提供了良好的辅助作用。
基本信息
专利标题 ：
一种坩埚口保温结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122449461.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-09
授权号 ：
CN216237370U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
徐永亮于海群邱超白伟
申请人 ：
内蒙古恒嘉晶体材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区巴彦淖尔市经济开发区河套大街南、富源路东（八一乡丰收村）
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
逯长明
优先权 ：
CN202122449461.5
主分类号 ：
C30B17/00
IPC分类号 ：
C30B17/00 C30B29/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B17/00
生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长，例如Necken-Kyropoulos法
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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