一种IGBT模块用跨桥电极结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种IGBT模块用跨桥电极结构，包括：IGBT模块一、跨桥电极结构和IGBT模块二；IGBT模块一设置在套管结构的左侧方，所述IGBT模块一的左端设置有第一连接端；跨桥电极结构安装在套管结构内，所述跨桥电极结构的中部设置有U形端，且跨桥电极结构的左部设置有左连接端，并且跨桥电极结构的右部设置有左插头；IGBT模块二设置在IGBT模块一的右侧方，所述IGBT模块二的左端设置有第二连接端；所述跨桥电极结构左部的左连接端的外端连接在第一连接端上。本实用新型中所设置的跨桥电极结构方便组合拆分，使用比较灵活，并且方便并联两组及以上的IGBT模块，同时设置有套管结构进行固定和防护，使其连接不可松动，并且安全可靠。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT模块用跨桥电极结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122519697.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-20
授权号 ：
CN216563108U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
袁磊王凯锋孔令超
申请人 ：
合肥中恒微半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新大道与明珠大道交叉口106号5号楼2层C区
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122519697.1
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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