GaN功放管驱动电路
授权
摘要
本实用新型涉及GaN功放管控制技术领域，为了避免功放管在异常情况下损坏，减少财产损失，提供了一种GaN功放管驱动电路，包括温补电路、过欠压保护电路、时序保护电路、DC‑DC电源模块、过流门限设置电阻、电源电流采样电阻、第一电容、第二电容，第三电容、第一电阻、第二电阻、MOS管、GaN功放管、模拟开关及上电时序控制芯片。通过各器件间的连接关系实现了GaN功放管过压、欠压、过流及上电时序保护，有效避免了功放管在异常情况下的损坏，减少了财产损失。
基本信息
专利标题 ：
GaN功放管驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122634995.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
CN216531249U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
张刚邵敏
申请人 ：
成都嘉晨科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天华二路219号11栋8层801号
代理机构 ：
成都虹桥专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴中伟
优先权 ：
CN202122634995.5
主分类号 ：
H03F1/52
IPC分类号 ：
H03F1/52 H03F1/30 H03F3/21 H03F3/19
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
