一种制备半导体用超高纯氯化氢气体的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种制备半导体用超高纯氯化氢气体的装置，以工业产品气体为原料，采用多种纯化装置、气液分离装置与高压精馏装置的结合，可实现高效脱水、去除CO2及金属离子；所述制备工艺摆脱了现有技术对原料的依赖，在生产超高纯氯化氢气体的同时产生多种品质的氯化氢气体，尾气减少的同时易于处理，适用于工业化推广。
基本信息
专利标题 ：
一种制备半导体用超高纯氯化氢气体的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122738081.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
CN216549631U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
杜大艳曹小林吴祥虎
申请人 ：
湖北和远气体股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省宜昌市长阳土家族自治县龙舟坪镇龙舟大道52号（馨农家园）2栋1102号
代理机构 ：
武汉天领众智专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈三九
优先权 ：
CN202122738081.3
主分类号 ：
C01B7/07
IPC分类号 ：
C01B7/07
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B7/00
卤素；氢卤酸
C01B7/01
氯；氯化氢
C01B7/07
提纯
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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