MOS管驱动电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种MOS管驱动电路，包括：电压采集端、MOS管、第一电阻R1和三极管Q1以及驱动控制端，所述MOS管为N沟通道，所述三极管Q1为PNP型三极管，所述MOS管的漏极与所述电压采集端连接，所述MOS管的源级接地，所述MOS管的栅极与所述第一电阻连接，所述第一电阻的另一端与所述三极管Q1的射极连接，所述三极管Q1的集极接地，所述三极管Q1的基极与所述驱动控制端连接。当MOS管快速关断时通过三极管Q1的导通，加速了MOS管关断时瞬间电流的释放，从而提高了MOS的导通电流能力及响应速度。
基本信息
专利标题 ：
MOS管驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122853855.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
CN216437168U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
刘卫平姜林黄晓波
申请人 ：
深圳市福斯特半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区沙头街道天安社区泰然四路29号天安创新科技广场一期A座1706-1
代理机构 ：
深圳市特讯知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄彧
优先权 ：
CN202122853855.7
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687 H03K17/041 H03K17/16
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
