半导体装置
授权
摘要
本实用新型公开了半导体装置，包括衬底、有源区、以及绝缘结构。有源区相互平行且相互分隔地定义在衬底内，各有源区包括有源鳍片以及设置于有源鳍片两侧的有源端部，有源鳍片以及有源端部分别包括不同的材质。绝缘结构设置在衬底内，环绕有源区，绝缘结构包括第一绝缘层以及多个第二绝缘层，其中，第二绝缘层系分别设置于相邻的有源区之间并且被第一绝缘层环绕。在此设置下，可改善有源区的延伸范围，确保后续形成的存储接触插塞结构可与有源区直接且稳定的接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122906026.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
CN216435904U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
童宇诚张钦福
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈超德
优先权 ：
CN202122906026.0
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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