一种抑制电源噪声的晶体振荡器失效检测电路
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摘要
本实用新型公开了一种抑制电源噪声的晶体振荡器失效检测电路，包括dummy支路，失效检测模块，晶体振荡器；利用主振荡电路的dummy支路产生参考电压VREF，作为失效检测模块的参考电压，与晶体振荡器的输入引脚信号XI_OUT比较得到失效检测判断结果。第一NMOS管M1所在的支路是晶体振荡器振荡提供电流的主要支路，第二NMOS管M0所在的支路是dummy支路；第一电流源I1和第二电流源I0是一组匹配的电流镜结构，第一NMOS管M1和第二NMOS管M0是一组匹配的NMOS管，使得第一NMOS管M1和第二NMOS管M0具有相同的VDS。本发明利用主振荡电路的dummy支路产生参考电压进行失效检测判决，VREF=VDS+R0*I0参考电压随工艺角变化，使得失效检测结果取决于R0*I0的大小，因此工艺角变化不会影响失效检测判决结果。
基本信息
专利标题 ：
一种抑制电源噪声的晶体振荡器失效检测电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122927911.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
CN216526087U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
欧阳翔张聪
申请人 ：
南京沁恒微电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市雨花台区宁双路18号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122927911.7
主分类号 ：
G01R31/00
IPC分类号 ：
G01R31/00 H03B5/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/00
电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置；在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66；线路传输系统的测试入H04B3/46）
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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