一种IGBT芯片的过压保护电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种IGBT芯片的过压保护电路，包括IGBT芯片以及电源模块，所述电源模块为所述IGBT芯片供电，所述电源模块上连接有电压检测模块，所述电源模块通过开关模块连接至所述IGBT芯片，所述电压检测模块连接至所述开关模块，还包括备用电源，所述开关模块连接至所述备用电源；实用新型的一个用途是，当发生电压拨动较大或电压超出IGBT芯片的最大承受范围是，电压检测模块发出信号控制开关模块动作，切换成备用电源，利用备用电源为IGBT芯片持续供电，避免IGBT芯片断电造成整个电路瘫痪失去作用。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT芯片的过压保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122930538.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
CN216625297U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
刘锋杰李向坤刘星义徐金金刘传利王琪
申请人 ：
科达半导体有限公司
申请人地址 ：
山东省东营市府前大街65号
代理机构 ：
山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司
代理人 ：
郑向群
优先权 ：
CN202122930538.0
主分类号 ：
H02H9/04
IPC分类号 ：
H02H9/04 H02J9/06 H02H1/00 H02H7/20
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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