一种具有防止热量流失结构的上炉筒
授权
摘要

本实用新型涉及单晶炉配件技术领域,尤其为一种具有防止热量流失结构的上炉筒,包括第一防护架、第二防护架和上炉筒本体,所述上炉筒本体左右两端均滑动连接有保温板,且两个所述保温板之间相互贴合,所述上炉筒本体右端设置有第一防护架,所述上炉筒本体左端设置有第二防护架,所述第一防护架左端前后两侧均固定连接有连接块,本实用新型通过保温板与隔温腔,可以减缓上炉筒本体上热量的流失,并且通过第一防护架与第二防护架,可以对上炉筒本体进行保护,增加装置使用寿命,同时配合螺丝与固定块,可以方便对第一防护架、第二防护架和保温板进行拆卸安装,从而在防护机构或保温机构出现问题时,及时进行维修。

基本信息
专利标题 :
一种具有防止热量流失结构的上炉筒
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122952485.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-29
授权号 :
CN216614927U
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
苏小春王志宏宋家站
申请人 :
天津雷格盛通真空装备制造有限公司
申请人地址 :
天津市武清区大碱厂镇吉祥道南侧1号
代理机构 :
安徽善安知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
陈庭
优先权 :
CN202122952485.2
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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