一种具有保护加热结构的下炉筒
授权
摘要
本实用新型涉及单晶炉技术领域,尤其为一种具有保护加热结构的下炉筒,包括下炉筒、炉筒门板和线圈,所述下炉筒前端面通过铰链转动连接有炉筒门板,所述下炉筒内侧固定连接有线圈,所述线圈下端设有石英板,所述石英板下端固定连接有石棉,所述石棉下端固定连接有支撑座,所述支撑座内侧螺旋连接有调节螺丝,所述炉筒门板右端设有限位柱本实用新型中,通过设置的限位柱、限位杆、伸缩弹簧和移动板,在向下炉筒中放置晶体和进行测量放置构件的过程中可以对炉筒门板进行稳定的限位和固定,这样的设置在使用的过程中可以有效的防止炉筒门板出现晃动影响工作人员正常工作的情况发生,具有良好的稳定性和实用价值。
基本信息
专利标题 :
一种具有保护加热结构的下炉筒
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122954947.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-29
授权号 :
CN216614929U
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
田留生李玉全周强
申请人 :
天津雷格盛通真空装备制造有限公司
申请人地址 :
天津市武清区大碱厂镇吉祥道南侧1号
代理机构 :
安徽善安知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
陈庭
优先权 :
CN202122954947.4
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B15/14 C30B29/06 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载