一种高线性度低谐波失真伪电阻电路
授权
摘要
本实用新型公开一种高线性度低谐波失真伪电阻电路，PMOS管M1的1号端口、PMOS管M2的衬底和偏置电压源V1的正极相连，并形成伪电阻本体的A端口；偏置电压源V1的负极接PMOS管M1的栅极；PMOS管M1的2号端口连接PMOS管M2的1号端口；PMOS管M2的2号端口、PMOS管M1的衬底和偏置电压源V2的正极相连，并形成伪电阻本体的B端口；偏置电压源V2的负极接PMOS管M2的栅极。本实用新型通过对常规对称伪电阻的衬底连接进行修改，将两个管子的衬底分别连接在另一个管子的信号输入端，其基本原理是通过减小PMOS管的过驱动电压的下降速度来提高线性度。
基本信息
专利标题 ：
一种高线性度低谐波失真伪电阻电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123016513.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
CN216531251U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
胡斯哲徐卫林韦雪明韦保林谢宁波周茜
申请人 ：
桂林电子科技大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
代理机构 ：
桂林市持衡专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈跃琳
优先权 ：
CN202123016513.6
主分类号 ：
H03F1/56
IPC分类号 ：
H03F1/56 H03F1/32 H03F3/45
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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