单芯大量流耦合器自锁结构
授权
摘要
本实用新型公开了单芯大量流耦合器自锁结构，包括上耦合器和下耦合器，上耦合器的内腔固定连接有顶杆，顶杆的底部延伸至下耦合器的内腔，下耦合器的内腔固定连接有自锁盒，自锁盒内腔右侧的顶部和底部均固定连接有弹簧，弹簧远离自锁盒的一端固定连接有移动板，移动板左侧的顶部和底部均固定连接有横杆，横杆远离移动板的一端延伸至自锁盒的外部并固定连接有锁头。本实用新型通过上耦合器、下耦合器、顶杆、自锁盒、弹簧、移动板、横杆、锁头、锁孔、衔接块、连接板、连杆、限位块、凹槽和按压块的配合使用，具备自锁功能的优点，能够有效的解决现有的单芯大量流耦合器，无法进行自锁，因此无法满足使用需求的问题。
基本信息
专利标题 ：
单芯大量流耦合器自锁结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123124189.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
CN216434458U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
赵珅华英豪李占龙冯永超
申请人 ：
霸士电器（昆山）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市昆山经济技术开发区雄鹰路301号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123124189.X
主分类号 ：
G02B6/42
IPC分类号 ：
G02B6/42 G09F7/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/24
光波导的耦合
G02B6/42
光波导与光电元件的耦合
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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