一种具有MOS管浪涌保护功能的电源输入电路
授权
摘要
本实用新型提供了一种具有MOS管浪涌保护功能的电源输入电路，包括电源输入端、整流滤波电路和浪涌保护电路，电源输入端分别经整流滤波电路和浪涌保护电路连接变压器。浪涌保护电路包括单向导电元件、第一电容和第一电阻。单向导电元件与第一电容串联，且串联后的两端分别连接变压器中初级级线圈的一端和接地，第一电阻与第一电容并联。通过在MOS管前面采用单向导电元件与第一电容串联接地，可起到吸收MOS管线上整流滤波电路过来的尖峰电压并泄放到地，进而可降低流至MOS管上的尖峰，提高本开关电源的抗浪涌能力，且可防止电压尖峰过高时损坏MOS管，起到保护MOS管的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种具有MOS管浪涌保护功能的电源输入电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123156380.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
CN216436806U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
刘卫平姜林黄晓波
申请人 ：
深圳市福斯特半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区沙头街道天安社区泰然四路29号天安创新科技广场一期A座1706-1
代理机构 ：
深圳市特讯知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄彧
优先权 ：
CN202123156380.2
主分类号 ：
H02H9/04
IPC分类号 ：
H02H9/04
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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