一种电容器小于三倍涌流投切技术的控制电路
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摘要
本实用新型提供了一种电容器小于三倍涌流投切技术的控制电路及方法，所述装置包括可控硅驱动电路、过零检测电路、可控硅与继电器电路。所述可控硅驱动电路控制信号连接三极管基极，三极管集电极串联第一脉冲变压器连接电源正极，三极管发射极连接电源地。脉冲变压器的副边同名端连接二极管D1第一阳极，二极管D1阴极连接二极管阴极，二极管D3阳极连接脉冲变压器副边异名端。二极管D1阴极连接电感并串联电容，串联电容另一端接脉冲变压器副边异名端。最后在电容两端分别连接可控硅的控制极与阴极。所述可控硅与继电器电路中两只单向可控硅反并联后与继电器并联，并且两端并联增加RC吸收回路与压敏a电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种电容器小于三倍涌流投切技术的控制电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123159752.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
CN216599018U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
徐魁荣国灿朱嘉颖方城
申请人 ：
江苏南自通华智慧能源股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区诚信大道519-1号
代理机构 ：
江苏圣典律师事务所
代理人 ：
胡建华
优先权 ：
CN202123159752.7
主分类号 ：
H02J3/18
IPC分类号 ：
H02J3/18 H02M1/06
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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